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Diseño de un amplificador criogénico de bajo ruido en banda C basado en tecnología híbrida con transistores HEMT de InGaAs

dc.contributor.advisorCano de Diego, Juan Luis 
dc.contributor.advisorFuente Rodríguez, Luisa María de la 
dc.contributor.authorAlvarado Rodríguez, David
dc.contributor.otherUniversidad de Cantabriaes_ES
dc.date.accessioned2014-08-04T11:45:09Z
dc.date.available2014-08-04T11:45:09Z
dc.date.issued2014-07-21
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10902/5008
dc.format.extent96 p.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Españaes_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject.otherRadio astronomíaes_ES
dc.subject.otherAmplificadores de bajo ruidoes_ES
dc.subject.otherRadio astronomyes_ES
dc.subject.otherLow noise amplifier (LNA)es_ES
dc.titleDiseño de un amplificador criogénico de bajo ruido en banda C basado en tecnología híbrida con transistores HEMT de InGaAses_ES
dc.title.alternativeC-band cryogenic MIC low noise amplifier design based on InGaAs HEMT technologyes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_ES
dc.rights.accessRightsopenAccesses_ES
dc.description.degreeIngeniería de Telecomunicaciónes_ES


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Nombre:
367719.pdf
Tamaño:
3.978Mb
Formato:
PDF

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Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 EspañaExcepto si se señala otra cosa, la licencia del ítem se describe como Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España