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dc.contributor.authorGonzález Gutiérrez, Pedro J.
dc.contributor.authorHerrán Ontañón, Luis Fernando
dc.contributor.authorGarcía García, José Ángel 
dc.contributor.authorFernández Ibáñez, Tomás 
dc.contributor.otherUniversidad de Cantabriaes_ES
dc.date.accessioned2013-10-04T07:32:17Z
dc.date.available2013-10-04T07:32:17Z
dc.date.issued2000-09
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10902/3557
dc.description.abstractThe existence of small-signal intermodulation distortion (IMD) "sweet spots" in RF Power LDMOS devices is accurately predicted through a not previously reported complete characterization of its Ids(Vgs, Vds) Taylor-series coefficients. A simplified description of transconductance´s derivatives shows to be inaccurate for this kind of devices.es_ES
dc.format.extent2 p.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.rights© 2000 URSI Españaes_ES
dc.sourceURSI 2000, XV Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio, Zaragozaes_ES
dc.titleCaracterización en distorsión de intermodulación pequeña señal de dispositivos LDMOS de potenciaes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectes_ES
dc.rights.accessRightsopenAccesses_ES
dc.type.versionpublishedVersiones_ES


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