Sistema de medida pulsada I/V pseudo-random para dispositivos GaAs MESFET y HEMT

Abstract

En este artículo presentamos un nuevo sistema de medida que permite observar la dependencia de los estados trampa en GaAs MESFET´s y HEMT´s con el campo eléctrico aplicado. Para ello se utiliza un sistema de medida pulsada I/V en el que se ha implementado un algoritmo de medida pseudo-aleatorio con el fin de observar efectos de memoria en este tipo de semiconductores. Como resultado de estas medidas se obtiene que el efecto de los estados trampa es más importante de lo que, en un principio, cabría esperar.