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dc.contributor.authorMoreno Sierra, César es_ES
dc.contributor.authorPfattner, Raphaeles_ES
dc.contributor.authorMas-Torrent, Martaes_ES
dc.contributor.authorPuigdollers, Joaquimes_ES
dc.contributor.authorBromley, Stefan T.es_ES
dc.contributor.authorRovira, Concepcióes_ES
dc.contributor.authorVeciana, Jaumees_ES
dc.contributor.authorAlcubilla, Ramónes_ES
dc.contributor.otherUniversidad de Cantabriaes_ES
dc.date.accessioned2025-02-03T11:20:29Z
dc.date.available2025-02-03T11:20:29Z
dc.date.issued2012-01es_ES
dc.identifier.issn0959-9428es_ES
dc.identifier.issn1364-5501es_ES
dc.identifier.otherTEC 2008-02520es_ES
dc.identifier.otherCSD2007-00007 ; CTQ2006-06333 ; CTQ2010-19501es_ES
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10902/35306
dc.description.abstractTheoretical and experimental investigations combining in situKelvin probe microscopy (KPM) and macroscopic electrical studies are employed to explore the intrinsic transport in dithiophene-tetrathiafulvalene (DT-TTF) single crystal organic field-effect transistors. Our work demonstrates that ambipolar behavior is not restricted only to materials possessing a high electron affinity and thus may be a more general phenomenon.es_ES
dc.format.extent4 p.es_ES
dc.language.isoenges_ES
dc.publisherRoyal Society of Chemistryes_ES
dc.rightsAlojado según Resolución CNEAI 9/12/24 (ANECA). This journal is © The Royal Society of Chemistry 2012es_ES
dc.sourceJournal of Materials Chemistry, 2012, 22(2), 345-348es_ES
dc.titleEvidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductores_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.relation.publisherVersionhttps://doi.org/10.1039/C1JM15037Ees_ES
dc.rights.accessRightsclosedAccess
dc.identifier.DOI10.1039/c1jm15037ees_ES
dc.type.versionpublishedVersiones_ES


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