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dc.contributor.authorRafael Valdivia, Guillermo
dc.contributor.authorZamanillo Sainz de la Maza, José María 
dc.contributor.authorPérez Vega, Constantino
dc.contributor.authorFernández Ibáñez, Tomás 
dc.contributor.authorMediavilla Sánchez, Ángel 
dc.contributor.authorTazón Puente, Antonio 
dc.contributor.otherUniversidad de Cantabriaes_ES
dc.date.accessioned2013-10-02T07:30:28Z
dc.date.available2013-10-02T07:30:28Z
dc.date.issued2002-09
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10902/3502
dc.description.abstractIn this paper a new methodology for the extraction of parasitic elements of the small-signal models of GaAs MESFET and AlGaAs P-HEMTs is shown. The neurofuzzy algorithm used for the extraction allows the calculation of the values of access resistances, capacitances and inductances, with no especial cold FET measurements. Experimental results show very good agreement with the theoretical analysis.es_ES
dc.format.extent2 p.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.rights© 2002 URSI Españaes_ES
dc.sourceURSI 2002, XVII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio, Alcalá de Henareses_ES
dc.titleMétodo neurodifuso para la extracción de los elementos parásitos en MESFET y HEMTes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectes_ES
dc.rights.accessRightsopenAccesses_ES
dc.type.versionpublishedVersiones_ES


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