Método neurodifuso para la extracción de los elementos parásitos en MESFET y HEMT

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URI: http://hdl.handle.net/10902/3502
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Autoría
Rafael Valdivia, Guillermo; Zamanillo Sainz de la Maza, José MaríaAutoridad Unican; Pérez Vega, Constantino; Fernández Ibáñez, TomásAutoridad Unican; Mediavilla Sánchez, ÁngelAutoridad Unican; Tazón Puente, AntonioAutoridad Unican
Fecha
2002-09
Derechos
© 2002 URSI España
Publicado en
URSI 2002, XVII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio, Alcalá de Henares
Resumen/Abstract
In this paper a new methodology for the extraction of parasitic elements of the small-signal models of GaAs MESFET and AlGaAs P-HEMTs is shown. The neurofuzzy algorithm used for the extraction allows the calculation of the values of access resistances, capacitances and inductances, with no especial cold FET measurements. Experimental results show very good agreement with the theoretical analysis.
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