Estudio de la metalización del calcogenuro amorfo GeSe₂ a alta presión

Abstract

Este trabajo se centra en el estudio de la metalización del GeSe₂ amorfo bajo condiciones de alta presión. Utilizando técnicas de absorción óptica, se ha estudiado la evolución de las propiedades electrónicas y estructurales de GeSe₂, particularmente su transición de fase de baja a alta densidad (LDA-HDA) y su eventual metalización. Los experimentos realizados han permitido determinar que la transición LDA-HDA ocurre alrededor de los 10 GPa, mientras que la metalización del material, caracterizada por el cierre del gap de energía y la transición semiconductor-metal, se produce aproximadamente a 30 GPa. Los resultados obtenidos son consistentes con observaciones estructurales previas y aportan información valiosa sobre el comportamiento del GeSe₂ bajo presión. Estos hallazgos tienen implicaciones importantes para posibles aplicaciones en dispositivos electrónicos y ópticos que se beneficien de las transiciones de fase inducidas por presión.

This work focuses on the study of the metallization of amorphous GeSe₂ under high pressure conditions. Using optical absorption techniques, the evolution of the electronic and structural properties of GeSe₂ has been studied, particularly its low-density-to-high-density (LDA-HDA) phase transition and its eventual metallization. The experiments performed have allowed to determine that the LDA-HDA transition occurs around 10 GPa, while the metallization of the material, characterized by the closing of the energy gap and the semiconductor-metal transition, occurs at approximately 30 GPa. The results obtained are consistent with previous local structure observations and provide valuable information on the behavior of GeSe₂ under pressure. These findings have important implications for possible applications in electronic and optical devices that benefit from pressure-induced phase transitions.