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dc.contributor.authorPeña Catalina, Roberto
dc.contributor.authorGarcía García, José Ángel 
dc.contributor.otherUniversidad de Cantabriaes_ES
dc.date.accessioned2013-09-20T14:33:24Z
dc.date.available2013-09-20T14:33:24Z
dc.date.issued2005-09
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10902/3358
dc.description.abstractIn this paper, a simplified memoryless FET model is used to relate the output power spectral density function (PSD) to the excitation statistics, when the device is employed either in a small-signal amplifier or gate mixer. General closed form expressions are obtained for narrowband modulated signals (Gaussian or not). Furthermore, simulation and measurement results are presented with the aim of highlighting the differences in IMD behaviour when signals with different statistics are handled, or different working conditions are established.es_ES
dc.format.extent4 p.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.rights© 2005 URSI Españaes_ES
dc.sourceURSI 2005, XX Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio, Gandíaes_ES
dc.titleAnálisis de la distorsión de intermodulación en amplificadores/mezcladores FET usando estadísticos de orden superiores_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectes_ES
dc.rights.accessRightsopenAccesses_ES
dc.type.versionpublishedVersiones_ES


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