Diseño de un amplificador de potencia clase F-1 en tecnología GaN HEMT

Design of high efficiency class F-1 amplifier using GaN HEMT

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URI: https://hdl.handle.net/10902/27439
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Autoría
Vega Prado, María
Fecha
2008-10-30
Director/es
García García, José ÁngelAutoridad Unican
Derechos
© María Vega Prado
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