Mostrar el registro sencillo

Estudio y modelado de la fiabilidad en transistores HEMT de GaN para comunicaciones

dc.contributor.advisorMimouni, Asmae
dc.contributor.advisorFernández Ibáñez, Tomás 
dc.contributor.authorCuesta Gómez, Ana María
dc.contributor.otherUniversidad de Cantabriaes_ES
dc.date.accessioned2023-01-24T09:10:04Z
dc.date.available2023-01-24T09:10:04Z
dc.date.issued2011-09-14
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10902/27379
dc.format.extent82 p.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.rights© Ana María Cuesta Gómezes_ES
dc.titleEstudio y modelado de la fiabilidad en transistores HEMT de GaN para comunicacioneses_ES
dc.title.alternativeStudy and modeling of reliability on GaN HEMT for communicationses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_ES
dc.rights.accessRightsrestrictedAccesses_ES
dc.description.degreeIngeniería de Telecomunicaciónes_ES


Ficheros en el ítem

Thumbnail
Nombre:
335473.pdf
Tamaño:
1.508Mb
Formato:
PDF

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo