Estudio y modelado de la fiabilidad en transistores HEMT de GaN para comunicaciones

Study and modeling of reliability on GaN HEMT for communications

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URI: https://hdl.handle.net/10902/27379

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Autoría

Cuesta Gómez, Ana María

Fecha

2011-09-14

Director/es

Mimouni, Asmae

Fernández Ibáñez, Tomás

Derechos

© Ana María Cuesta Gómez

Colecciones a las que pertenece

• I1008 Trabajos académicos [308]