Mostrar el registro sencillo

Estudio y modelado de la fiabilidad en transistores HEMT de GaN

dc.contributor.advisorFernández Ibáñez, Tomás 
dc.contributor.advisorTazón Puente, Antonio 
dc.contributor.authorMimouni, Asmae
dc.contributor.otherUniversidad de Cantabriaes_ES
dc.date.accessioned2022-08-12T08:08:01Z
dc.date.available2022-08-12T08:08:01Z
dc.date.issued2008-10
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10902/25548
dc.format.extent112 p.es_ES
dc.language.isofraes_ES
dc.rights© Asmae Mimounies_ES
dc.titleEstudio y modelado de la fiabilidad en transistores HEMT de GaNes_ES
dc.title.alternativeStudy and modeling of reability on GaN HEMTes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesises_ES
dc.rights.accessRightsrestrictedAccesses_ES
dc.description.degreeMáster en Tecnologías de la Información y Comunicaciones en Redes Móviles (TICRM)es_ES


Ficheros en el ítem

Thumbnail
Nombre:
299416.pdf
Tamaño:
5.053Mb
Formato:
PDF

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo