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Estudio y modelado de la fiabilidad en transistores HEMT de GaN
Study and modeling of reability on GaN HEMT
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299416.pdf (5.053Mb)
Identificadores
URI:
http://hdl.handle.net/10902/25548
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Registro completo
Mostrar el registro completo DC
Autoría
Mimouni, Asmae
Fecha
2008-10
Director/es
Fernández Ibáñez, Tomás
Tazón Puente, Antonio
Derechos
© Asmae Mimouni
Colecciones a las que pertenece
M0426 Trabajos académicos
[65]
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