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dc.contributor.authorAlvarez Fernández, Jorge
dc.contributor.otherUniversidad de Cantabriaes_ES
dc.date.accessioned2013-06-17T08:12:20Z
dc.date.available2013-06-17T08:12:20Z
dc.date.issued2013-06
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10902/2407
dc.description.abstractThe goal of this project is the design, implementation and characterization of a Doherty Power Amplifier (DPA) with bias tuning at 3.5 GHz. The transistor used is a commercial GaN HEMT from Cree inc., with a class AB for the main and a changing class C to AB for the peak. The maximum power provided by the DPA is 28.5W. The efficiency is 67.7% at saturation, and 60.3% at 6 dB back-off. The maximum gain is 14.7 dB with a more linear function than the standard DPAses_ES
dc.format.extent35 p.es_ES
dc.language.isoenges_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Españaes_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject.otherAmplificadores de potenciaes_ES
dc.subject.otherPower amplifierses_ES
dc.subject.otherWiMAXes_ES
dc.titleDoherty power amplifier : comparison between standard Doherty and Bias Tunning Dohertyes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_ES
dc.rights.accessRightsopenAccesses_ES
dc.description.degreeIngeniería de Telecomunicaciónes_ES


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