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dc.contributor.advisorQuirce Teja, Ana 
dc.contributor.authorYurrita Méndez, María
dc.contributor.otherUniversidad de Cantabriaes_ES
dc.date.accessioned2021-11-29T14:42:52Z
dc.date.available2022-09-14T00:33:56Z
dc.date.issued2021-09-14
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10902/23246
dc.description.abstractRESUMEN: En este trabajo se ha realizado un estudio experimental de la dinámica no lineal encontrada al trabajar con láseres de semiconductor; en concreto, se ha estudiado la generación de peines de frecuencia óptica. Para ello, se han utilizado dos técnicas distintas, la de encencido por ganancia y la de inyección óptica. En la primera parte del trabajo se ha realizado una breve introducción teórica de los conceptos más importantes, con la descripción del equipamiento experimental utilizado. Tras esto, se encuentra una parte dedicada a la caracterización del láser de semiconductor de emisión lateral utilizado, cuyo objetivo es conocer las propiedades de éste operando en onda continua. Posteriormente y para dicho láser, se analiza el estudio de los peines de frecuencia obtenidos con la técnica de encendido por ganancia, en función de la frecuencia y la amplitud de modulación para dos corrientes de bias distintas. Finalmente, se ha analizado la técnica de inyección óptica para la generación de peines de frecuencia. Se ha inyectado una única frecuencia u otro peine de frecuencias provenientes de un láser maestro en el láser de emisión lateral (láser esclavo). Los resultados se han estudiado mediante la realización de mapas de dinámica no lineal.es_ES
dc.description.abstractABSTRACT: In this dissertation, we have carried out an experimental study of the non-linear dynamics that are found in semiconductor lasers; specifically, the generation of optical frequency combs. To do this, two different techniques have been used, gain switching and optical injection. In the first part of the work, a brief theoretical introduction of the most important concepts has been made, including with the description of the measurement equipment used. After this, we have characterized the edge emitting semiconductor laser operating in a continuous wave regime, in order to know its properties. Subsequently, we have studied the generation of optical frequency combs under gain switching for two different bias currents. Finally, optical frequency combs generated by optical injection of a single frequency or another optical frequency comb from a master laser in an edge-emitting semiconductor laser (slave laser) have been analyzed. The results have been studied using non-linear dynamics maps.es_ES
dc.format.extent50 p.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Españaes_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/*
dc.subject.otherLáser de Semiconductores_ES
dc.subject.otherPeine de Frecuencia Ópticaes_ES
dc.subject.otherDinámica No Lineales_ES
dc.subject.otherEncendido por Gananciaes_ES
dc.subject.otherInyección Opticaes_ES
dc.subject.otherSemiconductor Laseres_ES
dc.subject.otherOptical Frequency Combes_ES
dc.subject.otherNon-Lynear Dynamicses_ES
dc.subject.otherGain Switchinges_ES
dc.subject.otherOptical Injectiones_ES
dc.titleEstudio experimental de peines de frecuencia óptica generados por láseres de semiconductores_ES
dc.title.alternativeExperimental study of optical frequency combs generated by semiconductor laserses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_ES
dc.rights.accessRightsopenAccesses_ES
dc.description.degreeGrado en Físicaes_ES


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