En el presente estudio hemos medido el espectro de transmisión óptica normal no polarizado en el compuesto semiconductor laminar TlGaSe2, hasta la presión de 27.6 GPa. Nuestros resultados muestran que en el rango del visible existe la contribución de dos brechas de energía directas, que presentan una dependencia lineal con la presión. La transición débil , asignada a la brecha fundamental de energía, decrece hasta los 0.9 GPa con un coeficient lineal de -5.31 × l0?2 eVGPa-1 y la transición muestra un coeficient de -9.95 × 10-2 eVGPa-1 hasta 5.3 GPa (límite de presión en el espectro visible). Los resultados en el infrarrojo no muestran la presencia de la transición EA, dejando ver solamente el comportamiento de la segunda transición justo hasta la presión de metalización 24.6 GPa. En el rango de presión estudiado de 0.0 a 27.6 GPa, la transición EB muestra un comportamiento no lineal con la presión de coeficient cuadrático 1.83 × l0 -3 eVGPa -2.
In this paper the spectrum of optical normal transmission not polarized of TlGaSe2 is measured as a function of pressure up to 27.6 GPa at room temperature. Our results show that in the range of the visible exist the contributions of two direct gaps of energy, which present a linear dependence with the pressure. The weak transition assigned to the fundamental gap of energy, decreases up to 1.5 GPa with a linear coefficien of -31 × l0 ?2 eVGPa-1 and the transition shows a coefficien of -9.95 × 10-2 eVGPa-1 up to 5.3 GPa (limit of pressure in the visible spectrum). The results in the infrared do not show the presence of the transition EA allowing to see only the behavior of the second transition rightly up to the pressure of metallization 24.6 GPa. In the range of pressure studied from 0.0 to 27.6 GPa, the transition EB shows a not linear behavior with the pressure of quadratic coefficien 1.83 × l0 -3 eVGPa -2.
; Jagui Pérez?Kuroki, A.; Chervin, J.C.
