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    Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS2

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    v57n1a6.pdf (264.3Kb)
    Identificadores
    URI: http://hdl.handle.net/10902/21955
    ISSN: 0035-001X
    ISSN: 1870-3542
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    Autoría
    Power, Ch.; Calderón, E.; González Gómez, Jesús AntonioAutoridad Unican; Chervin, J.C.
    Fecha
    2011
    Derechos
    © Sociedad Mexicana de Física
    Publicado en
    Revista Mexicana de Física, 2011, 57(1), p. 35-39
    Editorial
    Sociedad Mexicana de Física
    Enlace a la publicación
    http://www.scielo.org.mx/pdf/rmf/v57n1//v57n1a6.pdf
    Palabras clave
    I-III-VI2 semiconductor
    Infrared
    High pressure
    Resumen/Abstract
    En el presente trabajo estudiamos el comportamiento en presión del espectro de absorción (óptica de una muestra monocristalina de AgGaS2, realizando medidas en el rango de energías del infrarrojo, desde 0.30 hasta 0.70 eV, para presiones P inferiores a 4 GPa y temperatura ambiente T, utilizando para ello una celda de yunques de diamantes en combinación con la técnica de micro?espectroscopia infrarroja [1]. Con este estudio determinamos la variación de su índice de refracción n en función de la presión, en el rango de estabilidad de la estructura calcopirita [2?6], así como la variación en presión de las constantes dielectricas estática (?0) y de alta frecuencia (??). Nuestros resultados del índice de refracción a presión y temperatura ambiente en el AgGaS2 pueden compararse con los valores experimentales reportados por Boyd et al.
     
    In this work, we study the pressure behavior of the optical absorption spectrum of a single crystal AgGaS2, taking measurements in the infrared energy range from 0.30 up to 0.70 eV for pressures values P below 4GPa and room temperature T, using a diamond anvil cell in combination with infrared micro spectroscopy technique [1]. With this study, we determine the refraction index n variations in terms of pressure within the stability range of the chalcopyrite structure [2?6] as well as the changes under pressure of both the static (?0) and high frequency (??) dielectric constants. These results can be compared with the experimental values reported by Boyd et al.
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