ABSTRACT: The aim of this thesis is to study the sources of damage in silicon sensors, in particular the ones dedicated to Charge Couples Devices (CCDs) at DAMIC and DAMIC-M. This work is made with the idea of future applications in the CCDs of the DAMIC-M (Dark Matter In CCDs at Modane) experiment in order to improve the performance of the Dark Matter search; to accomplish this objective, a review of the state of the art for the different techniques used for the treatment of such damage is done. Besides, a study of the dark current and its dependence on the temperature for real data obtained at DAMIC is included, observing a linear dependence at first instance.
RESUMEN: El propósito de este TFM es estudiar las fuentes de daño en detectores a base de silicón, en particular, aquellos dedicados a las CCDs (Charged Coupled Devices, en inglés) en los experimentos DAMIC y DAMIC-M. Este trabajo está hecho teniendo en cuenta las futuras aplicaciones en las CCDs del experimento DAMIC-M (Dark Matter In CCDs at Modane), para poder mejorar la búsqueda de materia oscura con este tipo de experimentos. Para cumplir este objetivo, se hace una revisión del estado del arte de las diferentes técnicas utilizadas para tratar dicho daño. Además, se hace un estudio de la corriente oscura y su dependencia con la temperatura para datos reales obtenidos en DAMIC, se observa que hay una dependencia linear en un primer análisis.
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