Estudio y modelado de la fiabilidad y estrés térmicos en transistores GaN para aplicaciones de microondas

Abstract

En este trabajo se analizan los fenómenos de degradación presentes en GaN HEMT, bajo condiciones de fuerte campo eléctrico; se presentan modelos de degradación. Se presenta la caracterización de los efectos trampa en modo pulsado para estudiar la influencia del envejecimiento sobre estos efectos de degradación. Se presenta un estudio de la influencia de la temperatura ambiente sobre los efectos debido a la presencia de estados trampa. Se ha apreciado la presencia del efecto kink en los dos transistores estudiados. En altas temperaturas (70°C), este efecto muestra menor influencia, y más especialmente en los dispositivos envejecidos, en los que la presencia de estados trampa disminuye con el aumento de temperatura. Como base el modelo de degradación de la corriente de saturación, Idss, de Chou se propone un modelo de degradación de la corriente de saturación Idss para los dispositivos estudiados. Se propone un modelo para simular la degradación de la corriente de fugas.