Estudio raman de un monocristal de carburo de silicio en condiciones de altas presiones

Abstract

RESUMEN: Se ha estudiado una muestra de un sólido rígido de alta densidad, el carburo de silicio (SiC), bajo condiciones de presión extremas en un medio hidrostático. La técnica utilizada para su estudio ha sido la espectroscopía Raman. Con ella ha sido posible la caracterización de los picos del espectro Raman del SiC y su variación con la presión. Se verá como la presión no es la misma en todas las regiones de la muestra y las consecuencias que conlleva este hecho. Se elaboraran mapas de presión de la superficie de la muestra de SiC donde se cuantificará la distribución de las variaciones de presión sobre la misma.

ABSTRACT: A sample of a rigid solid, silicon carbide, has been studied under extreme pressure conditions. The technique used for its study has been Raman spectroscopy. With it, it has been possible to characterize the peaks of the Raman spectrum of SiC and its variation with pressure. It will be seen how the pressure is not the same in all the regions of the sample and the consequences that this fact entails. At the same time, pressure maps of the surface of the SiC sample will be elaborated, showing the distribution of pressure variations on it.