Visualizar por autor "Fernández Ibáñez, Tomás"

Accurately modeling of Zero Biased Schottky-Diodes at millimeter-wave frequencies

Gutiérrez Asueta, Jéssica

; Zeljami, Kaoutar; Fernández Ibáñez, Tomás

; Pascual Gutiérrez, Juan Pablo

; Tazón Puente, Antonio

(MDPI, 2019-06-20)

Adquisición de la tecnología necesaria para el diseño y construcción de componentes para sistemas de comunicaciones en banda milimétrica

Barquinero Gómez, César; Agüero San Emeterio, José María; Fernández Ibáñez, Tomás

; Mediavilla Sánchez, Ángel

; García García, José Luis; Alonso Payno, Jairo; Gutiérrez Piñera, José Francisco (2002-09)

An ultra-compact full-band waveguide quadrature hybrid coupler

Cano de Diego, Juan Luis

; Ceccato, Gabriele; Fernández Ibáñez, Tomás

; Mediavilla Sánchez, Ángel

; Perregrini, Luca (Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2021-01)

Análisis e implementacion de un control automático de frecuencia mediante lazo analógico

Fernández Ibáñez, Tomás

; Cano de Diego, Juan Luis

(2005-09)

Análisis y diseño de un receptor de altas prestaciones para comunicaciones en banda Ka

Lozano González, Javier (2014-10-31)

Architecture for blast algorithm

Fernández Herrero, Mario (2011)

Automatización de un banco de medida DC y RF pequeña señal a frecuencias de microondas para transistores MESFET y HEMT

Ruiz Merino, Alberto (2008-09-18)

Automatización de un sistema de caracterización en DC para transistores de microondas

Cobo Saro, Ramón (2009-07)

Cálculo de la movilidad en dispositivos HEMT a partir de medidas de intermodulación

Rafael Valdivia, Guillermo; Fernández Ibáñez, Tomás

; Rodríguez Téllez, José; Tazón Puente, Antonio

; Mediavilla Sánchez, Ángel

(2004-09)

Caracterización DC y estudio de la dispersión frecuencial térmica en transistores de microondas de media y alta potencia

Zeljami, Kaoutar (2009-09)

Caracterización de componentes y balance de potencia para radiómetro en banda W

Gutiérrez Asueta, Jéssica

; Zeljami, Kaoutar; Pascual Gutiérrez, Juan Pablo

; Fernández Ibáñez, Tomás

; Tazón Puente, Antonio

(2012-09)

(2011-09)

Caracterización en DC de transistores HEMT de GaN

Mimouni, Asmae; Zeljami, Kaoutar; Chaibi, Mohamed; Fernández Ibáñez, Tomás

; Tazón Puente, Antonio

; Sánchez Sanz, Fernando; Verdú Herce, Marina; Boussouis, Mohamed (2009-09)

Caracterización en distorsión de intermodulación pequeña señal de dispositivos LDMOS de potencia

González Gutiérrez, Pedro J.; Herrán Ontañón, Luis Fernando; García García, José Ángel

; Fernández Ibáñez, Tomás

(2000-09)

Caracterización y modelado de dispositivos semiconductores para uso en sistemas de telecomunicaciones a frecuencias de terahercios

Zeljami, Kaoutar (2013-06-21)

Caracterización y modelado gran señal de transistores microondas MESFET/HEMT incluyendo efectos dispersivos y térmicos

Chico Renero, Alberto (2008-05)

Characterization and modeling of Schottky diodes up to 110 GHz for use in both flip-chip and wire-bonded assembled environments

Zeljami, Kaoutar; Gutiérrez Asueta, Jéssica

; Pascual Gutiérrez, Juan Pablo

; Fernández Ibáñez, Tomás

; Tazón Puente, Antonio

; Boussouis, Mohamed (EMW Publishing, 2012)

Visualizar por autor "Fernández Ibáñez, Tomás"

Accurately modeling of Zero Biased Schottky-Diodes at millimeter-wave frequencies

Adquisición de la tecnología necesaria para el diseño y construcción de componentes para sistemas de comunicaciones en banda milimétrica

An ultra-compact full-band waveguide quadrature hybrid coupler

Análisis e implementacion de un control automático de frecuencia mediante lazo analógico

Análisis y diseño de un receptor de altas prestaciones para comunicaciones en banda Ka

Architecture for blast algorithm

Automatización de un banco de medida DC y RF pequeña señal a frecuencias de microondas para transistores MESFET y HEMT

Automatización de un sistema de caracterización en DC para transistores de microondas

Cálculo de la movilidad en dispositivos HEMT a partir de medidas de intermodulación

Caracterización DC y estudio de la dispersión frecuencial térmica en transistores de microondas de media y alta potencia

Caracterización de componentes y balance de potencia para radiómetro en banda W

Caracterización de diodos Schottky para banda W

Caracterización de fibras y dispositivos ópticos

Caracterización de niveles trampa en transistores HEMT de GaN

Caracterización de transiciones coplanar-Microstrip en banda W

Caracterización en DC de transistores HEMT de GaN

Caracterización en distorsión de intermodulación pequeña señal de dispositivos LDMOS de potencia

Caracterización y modelado de dispositivos semiconductores para uso en sistemas de telecomunicaciones a frecuencias de terahercios

Caracterización y modelado gran señal de transistores microondas MESFET/HEMT incluyendo efectos dispersivos y térmicos

Characterization and modeling of Schottky diodes up to 110 GHz for use in both flip-chip and wire-bonded assembled environments

Listar

Mi cuenta

Sobre UCrea

Piensa en abierto

Compartir

Visualizar por autor "Fernández Ibáñez, Tomás"

Accurately modeling of Zero Biased Schottky-Diodes at millimeter-wave frequencies ﻿

Adquisición de la tecnología necesaria para el diseño y construcción de componentes para sistemas de comunicaciones en banda milimétrica ﻿

An ultra-compact full-band waveguide quadrature hybrid coupler ﻿

Análisis e implementacion de un control automático de frecuencia mediante lazo analógico ﻿

Análisis y diseño de un receptor de altas prestaciones para comunicaciones en banda Ka ﻿

Architecture for blast algorithm ﻿

Automatización de un banco de medida DC y RF pequeña señal a frecuencias de microondas para transistores MESFET y HEMT ﻿

Automatización de un sistema de caracterización en DC para transistores de microondas ﻿

Cálculo de la movilidad en dispositivos HEMT a partir de medidas de intermodulación ﻿

Caracterización DC y estudio de la dispersión frecuencial térmica en transistores de microondas de media y alta potencia ﻿

Caracterización de componentes y balance de potencia para radiómetro en banda W ﻿

Caracterización de diodos Schottky para banda W ﻿

Caracterización de fibras y dispositivos ópticos ﻿

Caracterización de niveles trampa en transistores HEMT de GaN ﻿

Caracterización de transiciones coplanar-Microstrip en banda W ﻿

Caracterización en DC de transistores HEMT de GaN ﻿

Caracterización en distorsión de intermodulación pequeña señal de dispositivos LDMOS de potencia ﻿

Caracterización y modelado de dispositivos semiconductores para uso en sistemas de telecomunicaciones a frecuencias de terahercios ﻿

Caracterización y modelado gran señal de transistores microondas MESFET/HEMT incluyendo efectos dispersivos y térmicos ﻿

Characterization and modeling of Schottky diodes up to 110 GHz for use in both flip-chip and wire-bonded assembled environments ﻿

Accurately modeling of Zero Biased Schottky-Diodes at millimeter-wave frequencies

Adquisición de la tecnología necesaria para el diseño y construcción de componentes para sistemas de comunicaciones en banda milimétrica

An ultra-compact full-band waveguide quadrature hybrid coupler

Análisis e implementacion de un control automático de frecuencia mediante lazo analógico

Análisis y diseño de un receptor de altas prestaciones para comunicaciones en banda Ka

Architecture for blast algorithm

Automatización de un banco de medida DC y RF pequeña señal a frecuencias de microondas para transistores MESFET y HEMT

Automatización de un sistema de caracterización en DC para transistores de microondas

Cálculo de la movilidad en dispositivos HEMT a partir de medidas de intermodulación

Caracterización DC y estudio de la dispersión frecuencial térmica en transistores de microondas de media y alta potencia

Caracterización de componentes y balance de potencia para radiómetro en banda W

Caracterización de diodos Schottky para banda W

Caracterización de fibras y dispositivos ópticos

Caracterización de niveles trampa en transistores HEMT de GaN

Caracterización de transiciones coplanar-Microstrip en banda W

Caracterización en DC de transistores HEMT de GaN

Caracterización en distorsión de intermodulación pequeña señal de dispositivos LDMOS de potencia

Caracterización y modelado de dispositivos semiconductores para uso en sistemas de telecomunicaciones a frecuencias de terahercios

Caracterización y modelado gran señal de transistores microondas MESFET/HEMT incluyendo efectos dispersivos y térmicos

Characterization and modeling of Schottky diodes up to 110 GHz for use in both flip-chip and wire-bonded assembled environments